Ieri va informam despre cea mai rapida memorie DDR2 de pe piata, tactata la 1200 Mhz si propusa de OCZ. Astazi a sosit momentul unui nou record, cel al capacitatii de stocare. Samsung, a anuntat ca are in dezvoltare un nou tip de chip cu care va reusi crearea in scurt timp a primului modul de memorie de 4 GB. In momentul de fata cele mai incapatoare module sunt cele de 2 GB oferite in kituri dual channel de 4 GB.

Samsung foloseste un procedeu tehnologic relativ nou de producere a chip-urilor pe mai multe straturi, denumit TSV (through silicon via) care, in primul rand, mareste capacitatea, viteza de lucru, dar scade consumul de energie electrica.

Practic, Samsung a reusit sa suprapuna patru chip-uri RAM de 512 Mbiti (64 MB) obtinand astfel unul singur de 256 MB. Montand 16 astfel de chip-uri pe acelasi PCB se obtine mult asteptatul modul de 4 GB.

In practica vorbim de o situatie in care multe placi de baza vor avea probleme cu recunoastearea unui kit dual channel de 2x4 GB, fara un update al BIOS-ului corespunzator.